ترانزیستور IRFZ48N یک ترانزیستور قدرت MOSFET با ساختار Enhancement-Mode است. این ساختار به معنی این است که ترانزیستور برای روشن شدن (تقویت جریان) به ولتاژ مثبت مورد نیاز دارد.
ترانزیستور IRFZ48N دارای ساختار Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) است. در این ساختار، بر روی نیمه‌هادی (سابسترا) که معمولاً سیلیکون است، لایهٔ اکسید (Oxide) ساخته می‌شود. سپس در قسمت بالای لایهٔ اکسید، دروازهٔ فلزی (Metal Gate) قرار می‌گیرد که توسط آن می‌توان ولتاژ کنترلی را به ترانزیستور اعمال کرد.
0دیدگاه