ترانزیستور MJE2955 یک ترانزیستور قدرت PNP است که برای کاربردهای قدرتی و الکترونیکی با جریان و ولتاژ بالا مناسب است.
ترانزیستور MJE2955 یک ترانزیستور قدرت PNP است که به منظور استفاده در برنامههای قدرتی طراحی شده است. ساختار این ترانزیستور بر اساس تکنولوژی نفوذ عمیق (Diffused-Base) میباشد.
ساختار اصلی ترانزیستور MJE2955 شامل سه لایه است:
لایه پایه (Base Layer): این لایه دارای نواقل پایه (Base Regions) است که در آن نواقل انتقال جریان (Charge Carriers) مثبت قرار دارند.
لایه مبدل (Emitter Layer): این لایه در ناحیه میانی قرار گرفته است و دارای نواقل انتقال جریان مثبت (همانند لایه پایه) است. این لایه برای تزریق جریان به لایه پایه استفاده میشود.
لایه کلکتور (Collector Layer): این لایه بزرگترین لایه ترانزیستور است و نواقل انتقال جریان منفی (Charge Carriers) را در بر میگیرد.
لایههای مذکور با استفاده از عملیات پیشرفته دیفیوژی (Diffusion) و امتزاج (Alloying) در فرآیند تولید ترانزیستور تشکیل میشوند.
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.