ترانزیستور SS8050 یک ترانزیستور کوچک قدرت NPN است که در بسیاری از برنامه‌های الکترونیکی و الکتریکی استفاده می‌شود. در ادامه، بیشتر با معرفی و ویژگی‌های این ترانزیستور آشنا خواهید شد:
ترانزیستور SS8050 یک ترانزیستور کوچک قدرت NPN است که از ساختار Bipolar Junction Transistor (BJT) استفاده می‌کند. ساختار BJT شامل سه لایه سیلیکون است که به ترتیب نوع نفوذگر (Emitter)، نوع میانجی (Base) و نوع جمع‌کننده (Collector) قرار دارند.
لایه نوع نفوذگر (Emitter)، لایه‌ای است که جریان الکترون‌ها و سوراخ‌ها را تزریق می‌کند. این لایه بیشترین پیونداتوری را داراست و به اتصال مستقیم با منبع تغذیه متصل می‌شود.
لایه نوع میانجی (Base)، لایه‌ای است که برای کنترل جریان بین نوع نفوذگر و نوع جمع‌کننده استفاده می‌شود. ضخامت این لایه بسیار کمتر از دو لایه دیگر است.
لایه نوع جمع‌کننده (Collector)، لایه‌ای است که جریان تراشه را از نوع میانجی به خارج از ترانزیستور انتقال می‌دهد. این لایه بیشترین حجم فضا را در ساختار ترانزیستور دارد و به یک پیچیدگی طراحی شده است تا از جریان الکترون‌ها و سوراخ‌ها جلوگیری کند.
ساختار سه لایه این ترانزیستور به وجود آمدن تغییرات جریان و ولتاژ در هر یک از لایه‌ها و کنترل جریان بین نوع نفوذگر و نوع جمع‌کننده کمک می‌کند.
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.