ترانزیستور TIP36 برای کاربردهایی که نیاز به جریان و ولتاژ بالا است، مناسب است. در ترانزیستورهای PNP، جریان از پایهٔ اصلی (Base) به پایهٔ مشترک (Emitter) جریان می‌دهد و از پایهٔ اصلی به پایهٔ مشترک جریان کنترل می‌شود.
ساختار ترانزیستور TIP36 شامل سه لایهٔ نیمهٔ هادی است که به ترتیب به عنوان لایهٔ انباشتگر (Collector), لایهٔ پایهٔ اصلی (Base) و لایهٔ امیتر (Emitter) شناخته می‌شوند. این ترانزیستور از نوع ترانزیستور دوجیبی PNP است، به این معنی که لایهٔ انباشتگر و لایهٔ امیتر به گونه‌ای متصل هستند که جریان از پایهٔ اصلی به پایهٔ مشترک (امیتر) جریان می‌دهد و توسط جریان کنترل می‌شود.
ساختار داخلی ترانزیستور TIP36 به صورت زیر است:
لایهٔ انباشتگر (Collector) این لایه در ترانزیستور PNP به عنوان لایهٔ مثبت تشخیص داده می‌شود. این لایه به عنوان تجمع کنندهٔ جریان عمل می‌کند. در ترانزیستور TIP36، لایهٔ انباشتگر به صورت N نوع ساخته می‌شود.
لایهٔ پایهٔ اصلی (Base) این لایه بین لایهٔ انباشتگر و لایهٔ امیتر قرار دارد و جریان کنترلی را تأمین می‌کند. با تغییر جریان کنترلی در پایهٔ اصلی، جریان بین لایهٔ انباشتگر و لایهٔ امیتر تنظیم می‌شود. لایهٔ پایهٔ اصلی در ترانزیستور TIP36 به صورت P نوع ساخته می‌شود.
لایهٔ امیتر (Emitter) این لایه به عنوان لایهٔ خروجی عمل می‌کند. در ترانزیستور PNP، لایهٔ امیتر به صورت مثبت تشخیص داده می‌شود و جریان به سمت این لایه جریان می‌دهد. در ترانزیستور TIP36، لایهٔ امیتر به صورت N نوع ساخته می‌شود.
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.